400G SR4 OSFP Optical Transceiver Dual MPO Rev.B

Rev

Date

Modified by

Description

A

Jul 07,2022

vic 

Initial Release

B

Dec 21,2023

Vic 

Update CMIS

Parameter 

Symbol 

Min 

Max

Units

Storage Temperature Range 

TSTG

-40

+85

⁰C

Supply Voltage 

VCC

-0.5

3.6

V

Relative Humidity 

RH

5% to 95%

non-condensing 

Parameter 

Symbol 

Min 

Max

Unit

Case Temperature- Operating 

TCASE

0

70

⁰C

Supply Voltage 

Vcc

3.135

3.465

V

Power Consumption

PDISS

9

W

Pre-FEC Bit Error Ratio

2.4x10-4

Link Distance over OM3

0.5

30

M

Link Distance over OM4

0.5　

50

M

Transmitter Parameter

Min

 Typical

Max 

Unit

Signaling rate each lane

53.125±100ppm

GBd

Lane Wavelength Range 

850　

nm

RMS Spectral width

0.6

nm

Modulation Format

PAM4

Average Optical Power per lane

-4.6

4

dBm

Outer Optical Modulation Amplitude (OMAouter), each lane for TDECQ<=1.8dB for 1.8<TDECQ<=4.4dB

-2.6

-4.4+TDECQ

3.5

3.5

dBm

Outer Optical Modulation Amplitude (OMAouter), each lane for TECQ<=1.8dB for 1.8<TECQ<=4.4dB

-2.6

-4.4+TECQ

3.5

3.5

dBm

Transmitter and Dispersion Eye Closure for PAM4, each Lane

4.4

dB

Transmitter Eye Closure for PAM4(TECQ), each Lane

4.4

dB

Extinction Ratio 

2.5

dB 

Transmitter excursion ,each lane

2

dB 

Transmitter transition time,each lane

17

ps

Average Launch Power per Lane @ TX Off State

-30

dBm

Relative Intensity Noise12(OMA) 

-131

dB/Hz

Optical Return Loss Tolerance 

12

dB

Encircled Flux

>=86% at 19um <=30% at 4.5um

dB

Receiver Parameter

Min

 Typical

Max 

Unit

Signaling rate each lane

53.125±100ppm

GBd

Lane Wavelength Range 

850　

nm

Modulation Format

PAM4

Damage Threshold

5

dBm

Average Receive Power, each lane

-6.4

4

dBm

Receiver Power, each lane (OMA)

3.5

dBm

Receiver Sensitivity each lane (OMAouter) for TECQ<=1.8dB for 1.8<TECQ<=4.4dB

-4.6 -6.4+TECQ

dBm

Receiver reflectance

-12

dB

Stressed Receiver Sensitivity (OMAouter), each 

-2

dBm

Stressed Conditions for Stress Receiver Sensitivity

Stressed Eye Closure for PAM4 (SECQ),Lane under Test

4.4

dB

OMAouter of each Aggressor Lane

3.5

dBm

Parameter 

Min 

Typical

Max

Unit

RX_LOS_Assert Min/Max

-15.0

dBm

RX_LOS_De-Assert Min/Max

-8.9

dBm

RX_LOS_Hysteresis

1.5

dB

Parameters

Unit

Specification

Temperature Monitor absolute error

°C

± 3  

Supply Voltage Monitor absolute error

%

 ± 5 

I_bias Monitor absolute error

%

 ± 10

Received Power (Rx) Monitor absolute error

dB

 ± 3.0

Transmit Power (Tx) Monitor absolute error

dB

 ± 3.0

 SCL and SDA 

 VOL 

0

0.4

V

 IOL(max)=3.0mA for fast mode,20mA for Fast-mode plus 

 VOH 

Vcc-0.5

Vcc+0.3

 V 

 SCL and SDA 

 VIL 

-0.3

Vcc*0.3

 V 

 VIH 

Vcc*0.7

Vcc +0.5

 V 

 Capacitance for SCL and SDA I/O pin 

 Ci 

14

 pF 

 Total bus cpacitive load for SCL and SDA 

 Cb 

100

 pF 

 3.0k Ohms Pull up resistor,max 

200

 pF 

 1.6k Ohms Pull up resistor,max 

 LPMode/TxDis,Reset and ModeSeIL 

 VIL 

-0.3

0.8

V

 |Iin| </= 125uA for Vin < Vcc 

 VIH 

2

Vcc + 0.3

 V 

 IntL/RxLOS 

 VOL 

0

0.4

 V 

 IOL=2.0mA 

 VOH 

VCC - 0.5

VCC + 0.3

 V 

 10k ohms pull-up to Host Vcc 

 ModPrsL 

 VOL 

0

0.4

 % 

 IOL=2.0mA 

 VOH 

 dB 

 ModPrsL can be implemented as a short-circuit to GND on the module